產(chǎn)品[
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀 單晶少子壽命測(cè)試儀/電阻率＞0.1Ω?cm 型號(hào):ZHLT-1C
]資料
產(chǎn)品名稱:
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀 單晶少子壽命測(cè)試儀/電阻率＞0.1Ω?cm 型號(hào):ZHLT-1C
產(chǎn)品型號(hào):
ZHLT-1C
產(chǎn)品展商:
國(guó)產(chǎn)
產(chǎn)品文檔:
*相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀 單晶少子壽命測(cè)試儀/電阻率＞0.1Ω?cm 型號(hào):ZHLT-1C測(cè)量范圍壽命測(cè)試范圍：10~6000μs， 電阻率＞3Ω?cm；＞10Ω?cm；＞0.1Ω?cm；＞0.05Ω?cm等等（電阻率值越小，壽命測(cè)試越難，儀器價(jià)位也就越高?。?/h2>
高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀 單晶少子壽命測(cè)試儀/電阻率＞0.1Ω?cm 型號(hào):ZHLT-1C
的詳細(xì)介紹
| 高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀 單晶少子壽命測(cè)試儀/電阻率＞0.1Ω•cm 型號(hào):ZHLT-1C | |
1、概述
ZHLT-1C高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（F28-75）及標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，由于對(duì)樣塊體形*嚴(yán)格要求，因此**應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
2、性能
2.1 光脈沖發(fā)生裝置重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬≥60μs 光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜5μs 紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶） 脈沖電源：5A～20A
2.2 高頻源 頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
2.3 放大器和檢波器頻率響應(yīng)：3Hz～1MHz
2.4 配用示波器配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz,Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)如測(cè)量鍺單晶壽命需另行配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源
2.5 測(cè)量范圍壽命測(cè)試范圍：10~6000μs，
電阻率＞3Ω•cm；＞10Ω•cm；＞0.1Ω•cm；＞0.05Ω•cm等等（電阻率值越小，壽命測(cè)試越難，儀器價(jià)位也就越高?。?br />
| |